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YK3500
双极晶体管系列是NPN型硅平面晶体管。产品参数指标高、可靠性好，性能指标与国外型号一致，可作为开关或信号放大器件，广泛应用于各种航天系统和其它高可靠应用领域.
性能指标


        双极晶体管系列是NPN型硅平面晶体管。产品参数指标高、可靠性好，性能指标与国外型号一致，可作为开关或信号放大器件，广泛应用于各种航天系统和其它高可靠应用领域.

主要特点

◎ NPN型硅外延平面晶体管

◎ 芯片表面多层介质钝化

◎ 芯片背面多层金属化

◎ 芯片焊接采用高可靠共晶焊接

◎ 抗辐射低剂量率0.01rad（Si）/s时，总剂量≥100K Rad（Si）


功能特点

双极晶体管产品

产品型号

主要指标

封装形式

兼容型号

YK3500

VCBO≥150V，VCEO≥150V，VEBO≥6V，IC=0.3A，β=40-120

TO-39

2N3500

YK3501

VCBO≥150V，VCEO≥150V，VEBO≥6V，IC=0.3A，β=100-300

TO-39

2N3501

YK3501UB

VCBO≥150V，VCEO≥150V，VEBO≥6V，IC=0.3A，β=100-300

UB封装

2N3501UB

YK2219A

VCBO≥75V，VCEO≥50V，VEBO≥6V，IC=0.8A，β=100-300

TO-39

2N2219A

YK2222A

VCBO≥75V，VCEO≥50V，VEBO≥6V，IC=0.8A，β=100-300

TO-18

2N2222A

YK2222AUB

VCBO≥75V，VCEO≥50V，VEBO≥6V，IC=0.8A，β=100-300

UB封装

2N2222AUB

YK2369AT

VCBO≥40V，VCEO≥15V，VEBO≥4.5V，IC=0.2A，β=20-120

TO-18

2N2369A

YK3700UB

VCBO≥140V，VCEO≥80V，Ic=1A，β=100～300

UB封装

2N3700UB

YK3585T

VCBO≥500V，VCEO≥300V，VEBO≥6V，IC=2A，β=25-100

TO-66

2N3585

YK6678T

VCBO≥650V，VCEO≥400V，VEBO=8V，IC=15A，β=15-40

TO-3

2N6678

YK5672T

VCBO≥150V，VCEO≥120V，VEBO=7V，IC=30A，β=20-100

TO-3

2N5672

YK5667T

VCBO≥400V，VCEO≥300V，VEBO=6V，IC=5A，β=25-75

TO-39

2N5667

YK5667TU3

VCBO≥400V，VCEO≥300V，VEBO=6V，IC=5A，β=25-75

SMD-0.5

--

*YK5109

VCBO≥40V，VCEO≥20V，VEBO≥3V，IC=400mA，fT≥1.2GHz

TO-39

2N5109


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