YK28F1024RH为一款通用异步、抗辐射的1Mbit可编程只读存储器,采用标准CMOS工艺制造。器件有三个控制输入端:片选信号CE、编程使能信号PE、输出使能信号OE,三个数据读取位宽选择信号CO8、C16和C317位地址输入A(16.0],8个双向数据端DQ7:0],24个数据输出端DQ[31:8]。将ce信号置低可以启动对地址输入的译码,从而选择存储器的中一个位置。PE控制读或编程操作。在一个读周期内,OE必须置低以保证有效的输出,否则I/O端口输出高阻态。器件可通过数据位宽选择信号CO8、C16和C32配置为三种使用状态,分别为32K×32bit、64K×16bit和128K×8bit。
◎ 工作电压:5V±10%
◎ 抗辐射指标:总剂量:100K Rad (Si)
单粒子闩锁阈值:75Mev-平方厘米/mg
逻辑单粒子翻转阈值:37MeV-平方厘米/mg
存储单元单粒子翻转阈值:75MeV-平方厘米/mg
◎ 读写时间:60ns
◎ 三态双向数据总线
◎ ESD等级:2000v
◎ 封装形式:CQFP64
◎ 外形尺寸:40.96mm×40.96mm