抗辐射3.3V256Kbit可重复编程存储器电路YK28C256LVRH是一款3.3V工作条件下，可重复编程、擦除使用的存储器，并能实现数据存储后的读取功能。

当片选CE为低电平，且编程使能PE为高电平时，若输出使能信号OE为低电平，数据被读出，并被输出到8位I/O端口﹔若读操作时输出使能信号OE为高电平，I/O端口为高阻态。

主要特点

◎ 工作电压：3.3V±10%

 ◎ 抗辐射指标：总剂量:100K Rad (Si)

                单粒子闩锁阈值:75Mev-平方厘米/mg

               单粒子翻转阈值:37MeV-平方厘米/mg

◎ 读写时间：65ns

◎ 三态双向数据总线

◎ 专用编程器编程

◎ 封装形式： CDIP28/CFP28

◎ ESD等级:2000v