YK8CR1M39RH是一款高性能、抗辐射1024K×39bit SRAM。YK8CR1M39RH为异步操作存储器，具有容量大、抗辐射、数据存取时间快等特点。

    主要特点

◎ 兼容型号：Aeroflex公司UT8R1M39

◎ 工作电压：I/O：3.3V

内核：1.2V

◎ 读写时间：最大数据读取时间：20ns

最大数据写入时间：10ns

◎ 输入输出接口CMOS电平，三态双向数据总线

◎ 抗辐射指标：总剂量：100K Rad（Si）

单粒子闩锁阈值：75MeV·cm2/mg

单粒子翻转在轨错误率≤1×10-10错误/天·位

（GEO轨道，等效Al3mm）

◎ 工作温度：-55℃～+125℃

◎ ESD等级：2000V

◎ 封装形式：CQFP84

◎ 外形尺寸：55.37mm×55.37mm（成型前）